CGo-4高低溫真空探針臺
溫控規(guī)格:
控溫范圍4K-480K控溫精度0.1K溫度穩(wěn)定性4 K + - 0.2 K 77 K + - 0.1 K 373 K + - 0.08 K 473 K + - 0.1 K 823 K + - 0.2 K(可選) 973 K + - 1.0K(可選)常溫到8K冷卻時間:1小時40分鐘8K到常溫升溫時間:1小時30分鐘 從常溫開始的升溫時間 200 ℃ 550℃ 700 ℃ (4 chuck，單位分：秒)1:00 1:30 2:00電源直流材質(zhì)不銹鋼功率(4chuck) 850W
機械規(guī)格
針座行程 X軸方向25.4mm(1 inch) 可以選擇50.8mm Y軸方向25.4mm(1 inch) 可以選擇50.8mm Z軸方向25.4mm(1 inch) 可以選擇50.8mm 移動精度 X軸方向10 micron 可以選擇0.35,0.7,5,10 or 20 micron Y軸方向10 micron 可以選擇0.35,0.7,5,10 or 20 micron Z軸方向10 micron 可以選擇0.35,0.7,5,10 or 20 micron 探針可旋轉(zhuǎn)角度+-5 度
光學(xué)部件規(guī)格
顯微鏡X-Y軸方向行程2"*2" 可以選擇4"*4"總共放大倍率240X 可以選擇更高倍率真空腔觀察窗口2 inch 外部石英材質(zhì)99%紅外線穿過率 內(nèi)部吸收紅外線僅可見光通過光源150W可連續(xù)調(diào)節(jié)雙光纖導(dǎo)引
可選附件
防震桌
方形chuck
分子泵組
射頻部件
Chuck可外部移動裝置
客戶定制。
低溫和高溫真空探針臺
CINDBEST真空環(huán)境高低溫測試技術(shù)
以下兩個應(yīng)用需要真空測試環(huán)境。
極低溫測試:
因為晶圓在低溫大氣環(huán)境測試時，空氣中的水汽會凝結(jié)在晶圓上，會導(dǎo)致漏電過大或者探針無法接觸電極而使測試失敗。避免這些需要把真空腔內(nèi)的水汽在測試前用泵抽走，并且保持整個測試過程泵的運轉(zhuǎn)。
高溫?zé)o氧化測試：
當(dāng)晶圓加熱至300℃,400℃,500℃甚至更高溫度時，氧化現(xiàn)象會越來越明顯，并且溫度越高氧化越嚴(yán)重。過度氧化會導(dǎo)致晶圓電性誤差，物理和機械形變。避免這些需要把真空腔內(nèi)的氧氣在測試前用泵抽走，并且保持整個測試過程泵的運轉(zhuǎn)。
晶圓測試過程中溫度在低溫和高溫中變換，因為熱脹冷縮現(xiàn)象，定位好的探針與器件電極間會有相對位移，這時需要針座的重新定位，CINDBEST針座位于腔體外部。我們也可以選擇使用操作桿控制的自動化針座來調(diào)整探針的位置。
滬公網(wǎng)安備31011502016460號
